當(dāng)前所在位置: 首頁 > 產(chǎn)品首頁 >電力、電子、半導(dǎo)體 >能源:發(fā)電、輸電 >電阻/電容 >KEMET陶瓷堆疊電容L1GN70G473KA10
KEMET 電源解決方案 - 低損耗 (KPS MCL) 高溫 SMPS 陶瓷堆疊電容器將堅固且專有的 C0G/NPO 賤金屬電極 (BME) 介電系統(tǒng)與耐用的引線框架技術(shù)相結(jié)合,適用于高溫和高功率 SMPS 應(yīng)用。 這些設(shè)備專為滿足惡劣工業(yè)環(huán)境的需求而設(shè)計,例如井下石油勘探和汽車/航空電子發(fā)動機艙電路。
KPS-MCL 由大型芯片多層陶瓷電容器 (MLCC) 構(gòu)成,垂直堆疊并使用高熔點 (HMP) 焊料合金固定到引線框架終端系統(tǒng)。在引線框架中垂直堆疊電容器可實現(xiàn)更低的 ESR(低損耗)和熱阻,從而轉(zhuǎn)化為非常高的紋波電流能力。引線框架將 MLCC 與印刷電路板 (PCB) 隔離,同時建立并聯(lián)電路配置。
將電容器與 PCB 機械隔離可提高機械和熱應(yīng)力性能,而并聯(lián)電路配置允許在相同或更小的設(shè)計占位面積中使用大容量電容。
KEMET 的高溫 C0G 電容器具有溫度補償功能,非常適合諧振電路應(yīng)用,或需要 Q 和電容特性穩(wěn)定性的應(yīng)用。它們的電容隨時間和電壓沒有變化,相對于環(huán)境溫度,電容的變化可以忽略不計。從 -55°C 到 +200°C,電容變化限制在 ±30 ppm/ºC。此外,這些電容器在高達(dá) +200°C 的高溫下表現(xiàn)出高絕緣電阻和低損耗因數(shù)。它們還在高頻下表現(xiàn)出低 ESR,并提供比競爭性高溫 BME 陶瓷電容器器件更高的容積效率。
1.DWV 是電容器在短時間內(nèi)可以承受的電壓。 它超過了電容器的標(biāo)稱和連續(xù)工作電壓。
2.在以下條件下測量的電容和損耗因數(shù) (DF):
如果電容 ≤ 1,000 pF,則為 1 MHz ±100 kHz 和 1.0 ±0.2 Vrms。
如果電容 > 1,000 pF,則為 1 kHz ±50 Hz 和 1.0 ±0.2 Vrms。
3.要獲得 IR 限制,請將 MΩ - µF 值除以電容并與 GΩ 限制進行比較。選擇兩個限制中較低的一個。
注意:測量電容時,重要的是要確保設(shè)置的電壓電平保持恒定。 HP4284 和 Agilent E4980 具有稱為自動電平控制 (ALC) 的功能。ALC 功能應(yīng)該切換到“ON”。
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