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OPTOI光電二極管OID7

由 6 個(gè)芯片硅 P/N 光電二極管陣列組成的光學(xué)器件,輸出信號(hào)具有高均勻性。 該器件基于 PiN 二極管,具有反向偏置的性能。 每個(gè)硅片的有效面積為 2.5 x 1.1 mm2。高光學(xué)響應(yīng)度歸因于沉...

產(chǎn)品介紹

由 6 個(gè)芯片硅 P/N 光電二極管陣列組成的光學(xué)器件,輸出信號(hào)具有高均勻性。 該器件基于 PiN 二極管,具有反向偏置的性能。 每個(gè)硅片的有效面積為 2.5 x 1.1 mm2。

高光學(xué)響應(yīng)度歸因于沉積在光電二極管有源區(qū)域上的優(yōu)化抗反射涂層。 暗電流非常適合高溫應(yīng)用。

選擇材料是為了在整個(gè)溫度范圍內(nèi)獲得更好的性能。OID7與市場(chǎng)上其他標(biāo)準(zhǔn)件完全兼容,如OPR2100、OL2100、PA2100; 它在硅片(前端)和封裝(后端)中都有特殊設(shè)計(jì),從而提高了組件的可靠性。

性能特點(diǎn)

  • 高響應(yīng)度 (> 0.65 A/W @ *= *p)
  • 高量子效率(> 90% @ Vr=5V)
  • 擴(kuò)展溫度范圍 -40°C +125°C
  • 廣泛的活動(dòng)區(qū)域
  • 快速響應(yīng)時(shí)間
  • 低暗電流
  • 完全兼容 OPR2100-OL2100-PA2100

技術(shù)參數(shù)

工作溫度范圍:-40…125 °C

儲(chǔ)存溫度:-40:125 °C

引線溫度(焊料)3s:260 °C

反向擊穿電壓@TA=25°C IR=100uA:40 V

芯片對(duì)環(huán)境(封裝)的熱阻:110 °C/W

暗電流

T=25°C VR=5V:典型0.35 nA ,max.5 nA

T=125°C VR=5V:典型5 uA

響應(yīng)度 VR=5V λ=950nm:0.5…0.65 A/W

峰值響應(yīng)度 VR=5V:950 nm

光譜帶寬@50% VR=5V:600…1050 nm

正向電壓 IF=10mA:0.85 V

上升時(shí)間 (10%...90%) (VR=20V RL=50,λ=650nm ip=250uA):40 ns

下降時(shí)間 (90%...10%) :40 ns

電容 VR=0V f=10kHz Φ=0:典型20 pF,max.30 pF

有效面積:2.75 mm2

有效區(qū)域長(zhǎng)度:2.5 mm

有效區(qū)域?qū)挾龋?.1 mm

產(chǎn)品尺寸

產(chǎn)品應(yīng)用

增量旋轉(zhuǎn)編碼器

增量線性編碼器

一般用途


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