INFRARED MATERIALS硒化鉛紅外探測(cè)器B1-( )C4T

紅外探測(cè)器通常分為熱探測(cè)器或光子（量子）探測(cè)器。硫化鉛 (PbS) 和硒化鉛 (PbSe) 探測(cè)器都是光電導(dǎo)紅外探測(cè)器鉛鹽系列的成員，它們?cè)?1– 5.5微米的電磁光譜范圍內(nèi)敏感。光電導(dǎo)探測(cè)器是薄膜半導(dǎo)體器件，當(dāng)暴露于不同數(shù)量的紅外輻射時(shí)，其電導(dǎo)率會(huì)發(fā)生變化。這種變化導(dǎo)致流經(jīng)器件的電流量增加，檢測(cè)器電路的輸出要么是檢測(cè)器電流的變化，要么是負(fù)載電阻上產(chǎn)生的電壓變化。與在相同波長(zhǎng)區(qū)域使用的其他檢測(cè)器相比，PbS 和 PbSe 量子探測(cè)器具有更高的探測(cè)能力和在室溫下工作的優(yōu)勢(shì)，提供了一種在緊湊封裝中獲得高性能的經(jīng)濟(jì)方法。

• B1是一款高品質(zhì)的硒化鉛紅外探測(cè)器。
• 提供許多標(biāo)準(zhǔn)和定制配置，從裸芯片到采用 TO 型封裝的 TE 冷卻組件，以適應(yīng)各種設(shè)計(jì)目標(biāo)、操作條件和應(yīng)用。
• 在1–5.5μm波段具有快速響應(yīng)和超高靈敏度的TE冷卻紅外探測(cè)器。

產(chǎn)地：美國

元件尺寸：1 x 1 mm

響應(yīng)性（lpk，1050）：min.126,000 v/w，typ.190,000 v/w

環(huán)境溫度：+25°C

典型冷卻器功率(處于或ZUI大接近冷卻時(shí))：1.8V@1.2A

工作溫度：-50°C

標(biāo)準(zhǔn)包裝選項(xiàng)：TO-66, TO-8

響應(yīng)波長(zhǎng)：max.4.5µm

D（λpk，1050 Hz，1 Hz）：3.5 x 1010 cm Hz/ w^-1

元件電阻（暗）：1.0…20 MegOhm

時(shí)間常數(shù)（通常不測(cè)量）：12µsec

額定元件溫度：+85°C