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ENTEGRIS的3D NAND 解決方案

閱讀次數(shù):72    發(fā)布時間:2024-10-15 17:42:54

三維垂直堆疊內存架構為閃存存儲帶來了指數(shù)級的提升,但也在設備制造和集成層面帶來了根本性的新挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)影響著閃存產(chǎn)品鏈的方方面面,從設計到供應,再到材料處理、制造和交付。隨著架構從 64 垂直層發(fā)展到 96、128 甚至更多層,這些挑戰(zhàn)將變得更加嚴峻。我們了解其中的許多挑戰(zhàn),并擁有理想的解決方案。

了解閃存的未來 3D NAND

您可能還不了解 3D NAND,但您應該了解它。這種分層形式的閃存為存儲工廠運行所需的所有數(shù)據(jù)提供了一種經(jīng)濟高效的方法。您還應該了解其中的技術挑戰(zhàn)。

三維 NAND 挑戰(zhàn)和 entegris 解決方案

三維垂直堆疊內存架構為閃存存儲帶來了指數(shù)級的提升,但同時也在設備制造和集成層面帶來了根本性的新挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)影響著閃存生產(chǎn)鏈的方方面面,從設計到供應,再到材料處理、制造和交付。

隨著架構從 64 垂直層發(fā)展到 96、128 甚至更多層,這些挑戰(zhàn)將變得更加嚴峻。

我們了解其中的許多挑戰(zhàn),并擁有理想的解決方案。

產(chǎn)品解決方案

材料純度和性能

工藝純度和缺陷控制在 3D NAND 工藝中至關重要。3D NAND 設計和制造的整體復雜性增加了工廠在污染控制方面面臨的挑戰(zhàn)。每一代 3D NAND 對污染都越來越敏感。材料純度變得更加重要,因為缺陷會產(chǎn)生更大的影響。隨著堆棧中晶體管數(shù)量的增加,一個缺陷可能會堵塞多個單元,并更容易導致整個器件損壞。我們的 Purasol SP/SN 溶劑凈化器、Microgard過濾器和 Oktolex  Impact 8G 光化學過濾器解決方案可以去除顆粒、凝膠和金屬,減少光刻應用中的電氣故障,幫助提高工藝純度。原子層沉積 (ALD) 化學前驅體通常是含碳分子。如果存儲單元堆疊較大(96 層或更多),含碳副產(chǎn)物在底部的停留時間可能長于頂部,從而導致沉積厚度差異。請向我們咨詢無碳前驅體和前驅體輸送系統(tǒng),如 ProE-Vap 輸送系統(tǒng),該系統(tǒng)可提供充足的流量和較高的前驅體利用率,同時將浪費降至最低。

深度蝕刻結構

對于深度蝕刻結構,需要非常厚的高粘度光刻膠層(約 1000 cps)來確定非晶碳硬掩膜層。這種粘度水平會在光刻膠涂敷過程中形成微氣泡,從而在后續(xù)圖案化過程中產(chǎn)生缺陷。3D NAND 工藝對光刻缺陷更為敏感,因為其尺寸更?。ɡ?,溝道直徑約為 50 nm)。要最大限度地減少氣泡,需要一種新穎的泵送高粘度光刻膠的方法。我們提供帶有 Impact過濾器的 IntelliGen雙級泵,用于過濾、去除氣泡和穩(wěn)定的高粘度光阻分配。此外,我們的襯墊式光刻膠噴點系統(tǒng)(包括 NOWPak罐裝系統(tǒng)和 PDMPak及 NOWPak 瓶裝系統(tǒng))可準確噴點高粘度光刻膠,不會產(chǎn)生氣泡或污染。

從上到下的一致性

隨著多層堆棧高度的增加,在存儲器陣列頂部和底部實現(xiàn)一致的蝕刻和沉積剖面也變得越來越困難。例如,當比率為 ~100:1 時,選擇性去除存儲器堆棧中的 Si3N4 就成為濕法蝕刻的一項挑戰(zhàn)。難點在于如何在不蝕刻任何二氧化硅的情況下,始終如一地去除堆棧頂部和底部以及整個晶片上的 Si3N4。在 96 層以下,可以使用熱磷酸(約 160°C)來完成這項任務;但在 96 層及以上,則需要使用專門配制的濕蝕刻化學藥劑。我們可以提供這些配方化學藥劑,以提高工藝利潤。

避免排隊時間缺陷

考慮到大量的深溝道孔(每個芯片超過 20 億個)和堆棧厚度,每一代 3D NAND 產(chǎn)品在高縱橫比 (HAR) 刻蝕步驟中產(chǎn)生的副產(chǎn)物量都會變得越來越大。由于制程步驟較長,一批晶片通常會在前開式統(tǒng)一存儲艙(FOUP)中停留較長時間,副產(chǎn)品會吸附在 FOUP 內部表面,并在排隊期間轉移到晶片上。為了防止副產(chǎn)品吸附到微環(huán)境中,我們提供了一種創(chuàng)新的 Spectra EBM FOUP,這種 FOUP 帶有擴散器吹掃功能,它使用了一種帶有濕氣屏障的特殊聚合物材料,能夠更有效地抽走副產(chǎn)品,從而減少排隊時間的缺陷。

 


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