ENTEGRIS臭氧氣體凈化器GPUS200TOZ04R12CA

優(yōu)良的揮發(fā)性金屬凈化和顆粒過濾功能。GateKeeper GPU 臭氧氣體凈化器能有效減少臭氧氣體中的固態(tài)和揮發(fā)性金屬，如鉻（Cr）和錳（Mn）。這些新型的凈化器大大減少了晶片上的金屬污染，提高了產量。新型的氣體凈化技術使鉻的揮發(fā)去除率大于 99 %，這意味著臭氧氣體輸送系統(tǒng)所需的調節(jié)時間可以大大縮短。除了大幅縮短工具啟動時間（取決于凈化器的安裝點）外，集成了 PTFE/PFA 顆粒過濾膜的凈化器還有助于消除調節(jié)后的金屬溢出，大大降低了金屬污染造成晶片缺陷的風險。

新型的氣體凈化技術使鉻的揮發(fā)去除率大于 99 %，大大減少了臭氧氣體輸送系統(tǒng)所需的調節(jié)時間

集成式 PTFE/PFA 過濾器可在介質凈化后立即去除顆粒，從而減少晶片顆粒，并消除了對獨立過濾器的需求

緊湊的直列式設計，采用墊片密封，便于快速安裝

產地：美國

濾膜材質：聚四氟乙烯

凈化介質材質：多孔無機材料

外殼材質：316L 不銹鋼

內部表面處理：Ra <0.17 µm（電拋光）

截留揮發(fā)性金屬：鉻Cr和錳Mn

揮發(fā)性金屬去除率：鉻Cr > 99 %

顆粒：≥ 0.003 µm 的顆粒> 99.9999999 %

連接：1/4 "墊片密封

氣體：臭氧 (O₃) < 300 g/Nm³ 濃度

入口鉻Cr金屬含量：<1 ppm

建議流量：5 至 25 slm

外殼設計壓力：0.99 MPa (143.5 psig) @ 40 °C (104 °F)

臭氧氣體凈化條件

壓力：20 kPa (2.9 psi)

溫度：20 至 30 °C (68 至 86 °F)

化學氣相沉積（CVD）工具、干法蝕刻/清洗工具、濕法蝕刻和清洗 (WEC) 工具